隨著IC設(shè)計與制造流程的不斷演進(jìn)，針對集成電路器件出現(xiàn)異常的失效分析(Failure Analysis)變得越來越重要，難度也隨之提升。在現(xiàn)代IC失效分析領(lǐng)域中，從成千上萬的晶體管中如何既快速又準(zhǔn)確的進(jìn)行失效定位與分析，已成為提升芯片質(zhì)量非常重要議題。

　　針對IC異常失效分析，可以優(yōu)先從無損測試入手，通過OM、X-Ray、SAT、IV、Thermal等手段，確認(rèn)失效表征及內(nèi)部初步定位。

　　X-Ray

　　X-Ray是利用X射線在穿透不同材質(zhì)不同密度物品中衰減程度不同得到不同襯度的圖像。利用這一特性可以對樣品進(jìn)行無損的內(nèi)部分析，是最常見的無損檢測技術(shù)之一。

　　設(shè)備型號：ZEISS Xradia 630 Versa

　　空間分辨率：0.45μm

　　樣品規(guī)格：50×100×50 mm，25 kg(max)

　　優(yōu)點：超高分辨率、腔體尺寸大、可變掃描幾何形狀、掃描時間縮短。

　　作用：樣品內(nèi)部裂紋、形變、空洞、結(jié)構(gòu)觀察等。

　　應(yīng)用：適用電子元件和半導(dǎo)體封裝、生命科學(xué)、工業(yè)等領(lǐng)域。

　　案例：

　　超聲波掃描顯微鏡(SAT)

　　超聲波掃描顯微鏡(SAT)是通過發(fā)射高頻超聲波傳遞到樣品內(nèi)部，利用不同材質(zhì)的聲阻抗差異，檢查樣品內(nèi)部的缺陷。它可無損觀測IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)，也可以單層或多層掃描檢測IC內(nèi)部各類缺陷（裂紋、分層、夾雜物、附著物、空洞、孔洞、晶界邊界等）。

　　設(shè)備型號：Hitachi FineSAT V

　　掃描分辨率：1um

　　樣品最大尺寸：350×350×80mm

　　作用：檢測材料內(nèi)部的空洞(Void)、裂紋(Crack)、異物等缺陷。

　　應(yīng)用產(chǎn)品：晶圓、封裝芯片、基板等

　　探頭頻率：覆蓋15MHz-400MHz

　　優(yōu)點：高精度、高分辨率、高掃描速度、設(shè)備操作更便捷

　　案例：

　　IV

　　IV可量測半導(dǎo)體器件的電學(xué)參數(shù)與特性，如：電容-電壓(C-V)、電壓-電流(I-V)、電阻(R)、電容(C)、電感(L)和訊號波形(Waveform)等來了解器件的失效行為，以利后續(xù)的分析動作。

　　設(shè)備型號：Keysight B1500A

　　最大輸出范圍：200V/1A

　　最大SMU通道數(shù)：10

　　最高測量分辨率：0.1fA/0.5uV

　　最高采樣率：5ns

　　Thermal EMMI

　　Thermal EMMI的基本原理是利用高靈敏度的InSb探測器偵測IC在通電狀態(tài)下，缺陷位置產(chǎn)生熱輻射的分布，進(jìn)而對缺陷定位。Thermal EMMI不僅能夠直接透過裸芯正面或背面尋找缺陷位置，也可在未開蓋的狀態(tài)下定位失效點，進(jìn)而區(qū)分失效點位于封裝或是裸芯。

　　設(shè)備型號：Hamamatsu PHEMOS-1000

　　可探測波長上限：1100nm；

　　電壓范圍：-25 V–25 V；

　　最大電流：100 uA（高靈敏模式），100 mA（固定電壓電流模式）

　　最低可探測電流：3 pA（高靈敏模式），1 nA（固定電壓模式）

　　案例：

　　CTI華測檢測芯片服務(wù)

　　CTI華測檢測擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊，可以根據(jù)客戶的產(chǎn)品測試需求，從方案制定、測試硬件設(shè)計、硬件制作、測試及驗證等全方位服務(wù)，可以為您提供一站式解決方案。

　　我們用專業(yè)的設(shè)備確保驗證結(jié)果和數(shù)據(jù)，為產(chǎn)品質(zhì)量保駕護(hù)航。